Intelligence Report

前瞻视界

Foresight Horizon

数据覆盖周期：2026-04-21 ~ 2026-05-21

新闻总数

技术领域新闻

厂商新闻

覆盖厂商数

🤖

AI 智能总结

DeepSeek V4

总结类型：

时间范围：

📊

选择总结类型和时间范围，点击「开始总结」

AI 将自动分析并生成专业的总结报告

DeepSeek-V4-Flash

厂商新闻

AI 要点摘要

DSCR技术的核心价值在于:工艺创新：通过结合深冷条件（抑制动态回复，积累更多缺陷）和动态偏置剪切（引入梯度剪切应变，改善应变均匀性并抑制翘曲），突破了传统轧制的局限。
机理明确：该工艺能有效调控微观组织（如促进<111>织构、形成纳米孪晶、细化晶粒），这些结构既能有效阻碍位错运动（强化），又对电子散射较小（保导电性），从而巧妙地打破了强度与导电率之间的传统矛盾。
应用前景广阔：该技术具备在现有工业轧机上进行改造的潜力，为生产高性能铜合金板材提供了可行的新路径。

高相关度 2026-04-23

AlScN：特性、微纳制备及应用

本文系统综述了AlScN的晶体结构、基础性质及其性能调控机制，同时总结了沉积技术、刻蚀工艺及器件集成等微纳制造技术领域的最新进展。此外，还探讨了AlScN在微机电系统（MEMS）、射频通信、能量转换、光电子器件及传感器等领域的应用前景。最后，本文概述了AlScN当前面临的挑战及未来具有发展潜力的研究

半导体知识

高相关度 2026-04-22

光罩掩模版行业全景：全球格局、中国路径、成本逻辑与未来方向及常用检测技术

在半导体与显示制造体系中，光罩掩模版并不是最终装入产品的零部件，却是决定图形能否被准确转移、工艺能否稳定复制以及良率能否持续提升的关键基础材料。它既是制造中的“高精度底片”，也是承载版图与工艺知识产权的核心载体。对于今天的先进制造业而言，光罩的重要性已经不只是单纯的配套耗材，而是工艺、成本、交期和供

检测技术与芯片工艺研究院

高相关度 2026-04-04

动态偏置与剪切力调控深冷轧制实现微观组织调控制备突破强度 - 导电权衡的 Cu-Sn 合金

随着电子信息领域的快速发展，兼具高强度与高导电性能铜合金的高效制备成为关键挑战。针对该问题，本研究提出一种新型动态偏置与剪切力调控深冷轧制技术。通过微观组织设计与工艺创新，成功制备高性能 Cu-Sn 合金，系统阐明动态偏置剪切调控轧制与液氮温度深冷条件对多尺度微观组织演变的协同作用

J MATER PROCESS TECH

高相关度 2026-03-20

半导体设备系列 Vol.03 | 薄膜沉积设备

实际上，先进制程的大量关键结构，并不是从一块材料里刻出来的，而是先靠沉积一层层“长”出来，再交给后续工艺处理。这也是为什么沉积设备在晶圆厂里的地位非常高。从栅介质到金属互连，从阻挡层到钝化层，从高质量薄膜到外延生长，现代芯片的很多性能底座，本质上都建立在“这一层能不能长对”上。

中南微电人

高相关度 2026-03-19

一文读懂EUV掩模版

EUV 掩模版是一种以超低膨胀系数玻璃（ULE）为基底，表面制备Mo/Si 多层高反射膜与钽基吸收层图形，在 13.5 nm 极紫外光下以反射方式实现电路图案投影的高精度光学掩模板，是 7 nm 及以下先进制程芯片制造的关键部件。

科研人笔记

高相关度 2025-11-12

基于新型动态偏移与剪切力调控低温轧制技术的纯铜板：强度与导电性的高效协同提升

非对称低温轧制是制备金属板材的常用技术，可实现强度与韧性的同步提升。本研究开发了一种新型非对称低温轧制技术 —— 动态偏移与剪切力调控低温轧制（DSCR），并将其应用于纯铜板制备。在50%~90% 变形量范围内，系统对比了 DSCR 与传统对称轧制（SR）制备纯铜板的力学性能、导电性及显微组织演变。

MAT SCI ENG A

高相关度 2025-08-13

通过动态偏移和剪切力调整的低温轧制结合退火，提高纯铜的强度和导电性

不对称低温轧制在制备高强度、高导电率材料方面展现出巨大潜力。本研究提出了一种创新的动态偏移和剪切力调整低温轧制（DSCR）结合短时退火（DSCRA）技术，系统研究了该技术在调控纯铜力学性能、显微组织、再结晶行为及热稳定性方面的协同作用

MATER DESIGN

AI 要点摘要

研究通过“深冷轧制 + 高密度电脉冲处理”的复合工艺，成功打破了纯铜强度与塑性不可兼得的矛盾
保留了强化结构：电脉冲处理有效保留了深冷轧制引入的纳米孪晶、位错胞、层错等多级协同强化体系，这是强度没有大幅下降的根本原因
优化了塑性条件：处理后的材料织构组分分布更均匀，有利于变形时多滑移系的启动；同时，位错缠结得到缓解，且Σ3 共格孪晶界的比例提升，这大大改善了材料的变形协调能力，从而提升了塑性。

高相关度 2026-04-28

芯片制造系列 Vol.08 | 为什么先进节点越往后越被互连拖住

如果把先进制程理解成一场只围绕晶体管展开的比赛，很多现象会解释不通。为什么晶体管越来越先进，系统整体却没有“等比例轻松”？为什么先进节点一再推进之后，行业开始越来越频繁地谈 RC delay、IR drop、electromigration、backside power？答案很大一部分都落在互连上

中南微电人

高相关度 2026-04-24

O₂为什么既能做出氧化物膜，也能毁掉氮化物膜

调PVD工艺的人对氧气的感情很复杂。做氧化物涂层（Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂等）的时候，氧气是必需品——没有氧气就没有氧化物膜。但做氮化物涂层（TiN、CrN、TiAlN等）的时候，氧气是头号敌人。腔体里但凡漏一点气进来，涂层颜色就不对、硬度就下降、附着力就翻车。同样一个O₂分子，为什么

PVD技术部

高相关度 2026-04-20

高密度电脉冲处理实现深冷轧制纯铜的塑性回复与强度保持

强度与塑性的匹配是材料在复杂应力场下服役的关键。纯铜本身强度较低，深冷轧制将原始纯铜板的抗拉强度从 187.5 MPa 显著提升至 378.6 MPa，但该工艺引发的加工硬化大幅降低了材料塑性

MAT SCI ENG A

高相关度 2026-04-21

有研亿金党总支开展“忆初心·强党性”主题党日活动

4月17日，有研亿金党总支组织党员、入党积极分子在白浮泉公园开展“忆初心·强党性”主题党日活动。活动紧扣党性教育主线，引导党员在行走中感悟初心、在问答中锤炼党性。

有研亿金

高相关度 2026-04-03

有研亿金党总支召开2026年党风廉政建设和反腐败工作会暨警示教育大会

近日，有研亿金党总支召开2026年党风廉政建设和反腐败工作会暨警示教育大会。会议由党总支书记、总经理滕海涛主持，公司领导班子成员、中层干部、全体党员及相关人员参加会议。

有研亿金

高相关度 2026-03-30

喜报有研亿金荣获中国黄金协会科学技术特等奖

2026年3月27日，中国黄金协会在北京隆重举行2024年度中国黄金协会科学技术奖获奖项目颁奖典礼。有研亿金新材料有限公司（以下简称“有研亿金”）主持完成的《高端电子信息用贵金属功能材料的关键技术开发与应用》项目荣获中国黄金协会科学技术奖特等奖，彰显了有研亿金在贵金属功能材料领域的顶尖研发实力与行业

有研亿金

高相关度 2026-03-27

有研亿金闪耀亮相SEMICON China 2026

3月25日至27日，备受全球半导体行业瞩目的SEMICON China 2026展会在上海新国际博览中心举办。有研亿金携一系列创新成果精彩参展，与业界同仁共襄盛举。此次展会上，中国有研总经理、党委副书记艾磊，外部董事徐宏志，首席专家、战略专项任务技术专家组副组长周旗钢等领导亲临现场指导。有研亿金董事

有研亿金

中相关度 2026-03-24

有研新材外部董事赴有研亿金调研

3月23日，有研新材外部董事江轩、汪礼敏一行赴有研亿金开展调研工作，有研新材党委书记、总经理吕保国陪同调研，党委委员、副总经理杨阳主持会议。

有研亿金

一般相关 2026-03-20

“春风送暖，追锋行动”—— 有研亿金团支部组织开展学雷锋志愿服务活动

三月春风暖，雷锋精神传。为传承和弘扬雷锋精神，践行志愿服务理念，有研亿金团支部于3月11日组织开展了“春风送暖，追锋行动”学雷锋志愿服务活动，为全体员工提供免费眼镜清洗服务，以实际行动传递关怀与温暖。

有研亿金

高相关度 2026-04-24

江丰电子震荡弱于行业，主力资金净流出，估值偏高

江丰电子近5日处于震荡行情中，表现基本持平大盘，弱于行业平均水平。近5日主力资金整体呈现净流出状态，净占比高于市场平均水平。4月23日主力资金整体呈现净流出状态，净占比接近市场平均水平。融资融券差额占比2.77%。

经观智讯

高相关度 2026-04-23

“共享智造·未来已来”第十三届江丰电子全球销售大会圆满落幕

3月29日，第十三届江丰电子全球销售大会（Global Sales Conference 2026）在江丰电子黄湖未来工厂隆重举行，来自美国、比利时、法国、意大利、德国、马来西亚、日本、韩国、新加坡、中国大陆及台湾地区的全球合作伙伴，与江丰电子各基地的核心骨干400余人出席此次盛会，共叙友谊、畅谈未

共享智造

高相关度 2026-04-20

开源证券：给予江丰电子买入评级

开源证券股份有限公司陈蓉芳,祁海超近期对江丰电子进行研究并发布了研究报告《公司信息更新报告：零部件平台化稳步推进，靶材毛利率提升近3 pct》，给予江丰电子买入评级。

江丰电子(300666)

中相关度 2026-03-19

400亿江丰电子，换挡加速！

江丰电子，大动作来了！ 3月19日，江丰电子发布公告称，公司定增计划将进入后续实施阶段。据悉，此次募集资金总额不超过19.28亿元，将用于年产5100个静电吸盘项目、年产12300个超大规模超高纯金属溅射靶材项目、研发及技术服务中心项目、补充流动资金及偿还借款。

产业脉搏

高相关度 2024-04-05

C - ECAP和深冷轧制制备的高强高导铜

通过剧烈塑性变形( SPD )进行剪切变形是实现材料细化和孪生的有效方法。本研究对T2紫铜进行连续等通道转角挤压( C- ECAP )和液氮冷却深冷轧制( CR )。采用X射线衍射( XRD )、电子背散射衍射( EBSD )和透射电子显微镜( TEM )检测材料的微观组织和织构演变

MATER CHARACT

高相关度 2026-04-24

1000°C以下，2分钟烧出“超细晶”难熔金属！液态金属一招“软化”金属键，屈服强度1.19 GPa

钨、铼、钼这些难熔金属，是航空航天和核能领域的“顶梁柱”——高温强度无敌。但它们的熔点普遍超过2000°C，传统烧结动辄几小时、几千度，晶粒粗化严重，性能反而掉下来

Nature Materials

高相关度 2026-04-17

研究前沿：武汉大学，难熔金属

难熔金属Refractory metals（如W、Re、Mo）因其高熔点和稳定性，在航空航天和核能应用领域前景广阔。然而，由于难熔金属中，高离域电子密度导致的高熔点和强键合强度，材料加工过程仍面临挑战

难熔金属

中相关度 2024-03-11

具有高热稳定性和强塑积协同作用的块体超细晶铜的孪晶演变和加工硬化现象

本文通过采用较低的道次变形量、较大的轧辊直径和适中的变形速度，对Cu进行了大变形量的深冷轧制。这一过程导致了独特的富含形变纳米孪晶和富位错结构的均匀超细晶( UFG )组织的演变

MAT SCI ENG A

高相关度 2026-04-16

海力士官方科普：TSV为什么会成为HBM的架构核心？

SK 海力士于2013 年成为全球首家采用TSV 技术研发并量产HBM的企业，奠定 HBM 市场早期领先地位。TSV是 HBM 架构的核心，是实现 HBM 高带宽与高效能的关键

官方科普

高相关度 2026-04-16

背部吹扫气体创新方案，革新PVD/CVD沉积工艺，电弧克星，良率大幅提升？

在半导体制造，特别是先进逻辑与存储器件（如MRAM）的制备中，物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）是形成导电层与功能薄膜的核心工艺。然而，在高压、等离子体环境下进行的沉积过程，常因晶圆边缘区域的“电弧”（Arcing）现象，导致薄膜表面产生致命的“球状缺陷”（Ball Defects），严

TSMC

高相关度 2026-04-13

长电科技，正在吃下后摩尔时代最大红利：封装，不再只是代工配角

很多人对长电科技的理解，还停留在一句很老的话上：它是一家封测厂。这句话不能说错，但已经远远不够了。因为在今天这个时间点，再把长电科技只看成一家“把芯片封起来、测一下”的传统 OSAT 企业，几乎等于用功能机时代的眼光去看智能手机产业链。长电科技真正值得重看的地方，不是它还在做封测，而是封测这件事本身

封装

高相关度 2026-03-26

长电科技郑力：原子级先进封装重塑后摩尔时代芯片制造新范式

3 月 25 日至 27 日，全球半导体行业顶级盛会 SEMICON China 2026 在上海新国际博览中心举办。展会首日，长电科技董事、首席执行长郑力发表了题为《先进封装的原子级革新定义芯片成品制造新范式》的主题演讲，围绕后摩尔时代芯片产业的发展路径演进，系统阐释了先进封装产业的核心转折 ——

原子级先进封装

高相关度 2026-04-05

郑州大学何季麟院士团队：高纯锰制备技术研究现状与进展

文章系统梳理了高纯锰制备过程中“电解法→真空蒸馏法→区域熔炼法”的串联工艺，深入分析了各工艺环节的除杂优势与局限性，明确了杂质在各阶段的迁移行为与去除机制。在电解液净化方面，全面综述了萃取法、沉淀法、吸附法和离子交换法的研究进展及其应用瓶颈，指出现有方法难以同时兼顾高选择性、高效性、经济性和环境友好

何季麟院士团队

高相关度 2025-06-10

【NAURA PVD GO】北方华创PVD设备出货突破1000台

5月28日，北方华创隆重举办“PVD整机1000台交付庆典”。这是继刻蚀设备、立式炉设备之后，公司第三个达成单产品出货量突破1000台的品类里程碑。这不仅彰显了公司的技术实力与市场认可，更标志着北方华创在半导体核心装备领域再上新的台阶

PVD设备

中相关度 2019-03-26

北方华创：国产半导体设备的追梦者

3月21日，SEMICON China 邀请北京北方华创微电子装备有限公司总裁丁培军博士做了关于《做努力奔跑的国产半导体装备追梦者》演讲，丁总对半导体设备竞争格局及北方华创产品线做了详细论述，本次演讲提及Cubs PVD进展，表明公司客户开拓持续顺利

国产半导体设备

高相关度 2026-02-05

天虹完成310×310mm面板级封装PLP PVD设备交付

在先进封装朝大尺寸Panel化快速演进之际，半导体设备厂天虹科技宣布完成全球首台310×310mm面板级封装PLP PVD设备交机，本土自制率逼近90%，并同步启动日本据点布局，显示台湾设备厂在高阶封装关键制程自主化与国际市场拓展迈入新阶段

面板级封装

技术领域新闻

相关新闻

AI 要点摘要

PVD、CVD与ALD的全面对比。核心区别：三者的根本区别在于沉积机制。PVD是物理过程（如溅射、蒸发），通过物理方式将靶材原子“打”下来沉积到基底上；CVD和ALD是化学过程，通过气相前驱体在基底表面发生化学反应生成薄膜。
关键差异：简单来说，PVD 速度快、膜层纯度高，但覆盖能力（保形性）差；CVD 速度快且保形性好，但通常需要高温；ALD 速度最慢，但保形性极佳，能实现原子级的精确控制。
核心发现：不同材料（如过渡金属、11族元素、轻元素）溅射原子的角分布不同。过渡金属的原子倾向于在40°-70° 的角度飞出（呈现各向异性），而铜、银、金等11族元素的角分布则接近各向同性（各个角度原子数量差异小）

高相关度 2026-04-24

O₂为什么既能做出氧化物膜，也能毁掉氮化物膜

PVD技术部

高相关度 2026-04-23

PVD磁控溅射核心密码：溅射系数，决定镀膜效率的底层逻辑

控溅射工艺中，有一个参数直接决定了镀膜的快慢、膜层的质量，甚至设备的选型——它就是溅射系数（也叫溅射产额）。很多一线工艺工程师在调试设备时，都会遇到这样的困惑：同样的功率、同样的气压，为什么镀银的速度是镀钨的5倍以上？为什么换了离子源，沉积效率就大幅提升？答案的核心，就藏在溅射系数的影响规律里

PVD磁控溅射

高相关度 2026-04-12

PVD | 长程溅射如何提高侧壁覆盖率？

在 PVD 金属互连工艺中，不管是阻挡层、黏附层又或是种子层在图形（槽或孔）中侧壁的沉积好坏不容忽视，而解决这一问题的基本思路是尽可能使沉积的粒子有足够垂直的角度，这样就能进入图形中

长程溅射

高相关度 2026-03-26

半导体制造PVD技术应用：铜互连Barrier Seed工艺的技术突破与实践

PVD作为物理气相沉积的核心技术，凭借高纯度、高致密性和精准的化学计量控制，成为半导体制造中金属薄膜沉积的核心手段。在 5nm 及以下先进技术节点，半导体器件的互连工艺面临着特征尺寸缩小、电阻率上升、电迁移失效等诸多挑战。本文将解析其在铜互连、阻挡层 / 籽晶层制备、通孔电阻优化等方面的技术突破与实

铜互连

高相关度 2026-02-12

PVD | 不同靶材溅射原子的角分布

研究能量为Ei=0.2−0.5千电子伏特（keV）的惰性气体离子轰击多晶金属靶材时产生的溅射原子角分布，对于评估影响发射过程及完善溅射理论模型具有重要意义。该能量范围是磁控溅射、异常辉光放电及高频放电中的表面离子刻蚀等工艺所特有的。这些角分布的测量数据可用于分析真空溅射过程、侵蚀产物的再沉积过程，计

溅射原子的角分布

高相关度 2025-11-14

三大沉积技术总结！PVD、CVD、ALD!

薄膜沉积技术作为现代材料科学与工程的核心支柱，在微纳尺度结构调控中发挥着关键作用。本文聚焦于三种主流薄膜制备方法——物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD）、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）和原子层沉积（Atomic L

PVD

高相关度 2025-11-09

2025 爱发科：从 PVD 到 Hybrid Bonding，打通半导体制造全链路

从晶圆沉积、硬掩膜与金属布线，到 3D 封装与 Hybrid Bonding，爱发科正在构建覆盖“制造—封装—检测”的真空生态。真空，不只是制造条件，而是爱发科推动半导体产业进化的底层引擎

PVD

高相关度 2025-11-02

台积电（TSMC）创新PVD靶材设计技术，突破半导体可靠性瓶颈？

在半导体制造工艺的精密世界里，每一个技术细节的优化都可能引发产业级的变革。台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）在最新公布的专利US 2025/0092508A1中，提出了一种创新的物理气相沉积（PVD）靶材设计，这项技术有望显著提升先进制程半导体器件的可靠性表现

台积电 PVD

高相关度 2025-09-15

PVD技术在固态电池领域的应用趋势

物理气相沉积（PVD）技术在固态电池（SSBs）领域展现出广泛的应用前景和显著的发展趋势，其核心优势在于能够精确控制薄膜材料的结构、组成和界面特性，这对于提升固态电池的能量密度

PVD

高相关度 2025-07-31

PVD（物理气相沉积）的预处理Degas工艺(那些隐藏的知识点你知道多少？)

PVD（物理气相沉积）工艺中的 Degas（除气/烘烤）是一个非常关键的预处理步骤，其主要目的是去除wafer（晶圆）表面及其内部吸附的可挥发性污染物（比如，水汽）。这个步骤通常在将wafer送入沉积腔室后、正式开始沉积薄膜之前进行

PVD

高相关度 2025-05-20

Applied Materials | PVD 设备在大数据时代能做些什么？

大数据时代，再加上 Al 的推动，人类对于存储器的需求日益增长。由无数层材料堆叠的晶体管离不开增材制造环节，更离不开薄膜沉积设备（PVD、CVD 和 ALD），面对新型的存储器，PVD 设备能做些什么

PVD 大数据时代

高相关度 2025-01-07

PVD | 读懂它，你就参透了 IMP 腔体的核心科技！

在IMPVD工艺里，腔体所发生的物理过程是复杂的，在这里我们仅关注溅射过程中产生的金属粒子还有被入射粒子碰撞而反弹的中性原子，他们都会再次通过碰撞将动量和能量传递给 Ar 气体，本文将这个过程称为：Sputter Heating，由于这个过程的存在，使得腔体Ar 密度发生了改变，进而影响了溅射靶材的

PVD

信息路线图

相关新闻

AI 要点摘要

什么是热等静压（HIP）：这是一种在高温（最高可达2000℃）和高压（通常100-200MPa）下，利用惰性气体（如氩气）对工件施加各向同性压力的工艺。其核心作用是消除材料内部孔隙和缺陷，实现100%致密化，从而显著提升材料的疲劳性能、延展性和断裂韧性
关键新概念：高温高压热处理（HPHT®）：这是HIP技术的一个重要发展。它将HIP与快速冷却结合，在完成致密化后，利用高压气体强制对流实现原位、快速的热处理。其优势在于：减少独立的热处理工序、缩短总工艺时间、避免热致孔隙（起泡）风险，并能获得更均匀、更细密的微观组织。
最新设备发布：钢研昊普（中国钢研子公司）发布了新一代快速冷却热等静压设备 HIPEX300ARC，代表了国内在HIP装备技术上的新进展。同时，国际知名企业瑞典Quintus公司也在大会上介绍了其可实现大规模高压热处理的新一代HIP设备。
技术新视野：仿真可视化：钢研昊普的另一篇文章介绍了计算流体动力学（CFD）仿真在HIP工艺研发和设备优化中的应用。通过构建精准的三维模型，可以模拟炉内复杂的温度场和流场，优化加热元件布局和工艺参数，从而提升设备效率和温度均匀性，降低研发成本

高相关度 2026-05-09

半导体设备系列 Vol.10 | 电化学沉积与先进封装电镀设备

很多答案最后都会落到电化学沉积，也就是 ECD，和更广义的先进封装电镀设备上。它们负责的，不只是“在表面镀一层铜”，而是把 TSV、RDL、铜柱、微凸块、面板级扇出里那些真正导电、承载应力、影响良率的金属结构做出来。所以如果说键合设备决定“芯片能不能堆在一起”，那么电镀设备决定的就是：这些被连接起来

中南微电人

高相关度 2025-06-20

钢研昊普｜新一代快速冷却热等静压设备HIPEX300ARC正式发布

钢研昊普科技有限公司是中国钢研科技集团有限公司为整合其热等静压技术业务板块成立的全资子公司，总部位于北京市中关村核心区，拥有四个子公司及产业基地，配套系列热等静压加工设备，全面服务高端产品制造

热等静压

高相关度 2025-04-27

现代热等静压设备在熔模铸造中的应用

各位小伙伴，今天给大家分享一篇美国精密铸造协会经典技术文献《The use of Modern HIP equipment for the investment castings industry 》，详细介绍HIP技术在精密铸造中的应用

热等静压

高相关度 2025-03-12

热等静压综合培训 | 2025年3月第四届（苏州）商业热处理、热等静压、粉末冶金和3D打印用户大会

即将于3月26-28日举行的第四届（苏州）商业热处理、热等静压、粉末冶金和3D打印用户大会，其中包含一次重要的培训课程：《热等静压及其在金属、陶瓷、电子行业的应用》

热等静压

高相关度 2025-02-27

热等静压新视野：仿真可视化技术的变革力量

热等静压（HIP）技术，作为先进的粉末冶金与材料致密化与扩散连接工艺，备受关注。它把制品放入密闭高压容器，同时施加均压并加热。在高温（最高可达 2000℃ ）和高压（最高可达 200MPa ）的协同作用下，消除内部孔隙和裂纹，实现各向同性且致密化的高性能产品。该技术始于核工程扩散连接需求，如今已拓展

热等静压

高相关度 2025-02-27

第二轮通知 | 2025年第四届（苏州）商业热处理、热等静压、粉末冶金和3D打印用户大会

商业热处理大会是由新钢文化、爱力德热处理（苏州）有限公司、鲍迪克（无锡）技术有限公司、爱信热处理科技（大连）集团有限公司、苏氏热处理（深圳）有限公司联合发起，并由新钢文化每年3月在苏州主办的行业盛会，同期还将举行热等静压、粉末冶金和3D打印用户大会

热等静压

高相关度 2024-11-28

技术分享｜热等静压扩散连接技术如何实现“航天级钛铝复合材料”

航天级钛铝复合材料是航空航天工程零部件选用的关键材料之一，其融合钛与铝的优良特性，具备出色的耐高温与低密度的特性。其制备过程通过热等静压高温高压作用使材料进行复合连接，同时达到致密化的效果，极大提升材料综合性能，从而保障航天部件在极端环境下可靠运行。那么，热等静压扩散连接技术在航天级钛铝复合材料的制

热等静压

信息路线图

相关新闻

AI 要点摘要

设备重要性：薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机并称为半导体制造的三大核心设备，约占半导体设备市场总份额的20%。随着制程向3nm及以下演进，薄膜沉积的工序数量和复杂度大幅增加
全球市场：2022年全球市场规模约200亿美元，预计2026年将增长至300亿美元。其中CVD设备占比最大（约60%），ALD设备增速最快。
关键控制参数：温度、压力、气体流量与配比、射频功率等，这些参数相互影响，共同决定薄膜质量。例如，温度影响沉积速率和应力，压力影响保形性
对比了PVD、CVD、ALD三种技术的基本原理和优劣，更从系统工程的角度，阐述了薄膜沉积如何从“材料制备步骤”上升为决定芯片性能、良率和可靠性的核心工艺平台。它强调了工艺工程师的价值在于理解“材料—设备—结构—良率”之间的复杂关联，并做出系统性的优化折中。

高相关度 2026-05-09

不是光刻不够强，而是薄膜沉不下去：ALD正在接管先进制程

光刻决定分辨率的上限沉积决定结构能否真正实现这两年，我明显感觉到一个变化：大家讨论半导体的时候，已经很少再只盯着光刻、晶体管，甚至连封装都不再是唯一焦点。真正悄悄改变格局的，是一个过去很“低调”的环节——薄膜沉积。很多人以为，ALD、CVD不过是制程里的“基础工艺”，无非就是把材料一层层沉上

芯联汇

高相关度 2026-04-15

半导体薄膜沉积工艺学习手册（满满干货）

沉积的定义：在半导体制造中，薄膜沉积（Thin Film Deposition）是指将超薄材料薄膜（厚度通常在微米或更小量级）覆盖到晶圆表面的工艺。通过沉积特定材料薄膜，可以赋予原本裸露的硅晶圆新的电学或物理性质。例如，在晶圆表面沉积一层导电薄膜，能够使原本绝缘的晶圆具有导电性，为后续构建电路提供“

薄膜沉积

高相关度 2026-04-02

薄膜沉积：决定器件性能上限的基础工艺

在半导体制造中，刻蚀负责把图形转移出来，CMP 负责把表面重新做平，而薄膜沉积负责给后续所有结构提供材料基础。无论是栅介质、金属互连、阻挡层、钝化层，还是超导器件中的 Nb、Al、AlN、SiO₂ 等功能膜，最终都首先表现为一层“膜”，但工程上真正要控制的，远不只是“有没有沉上去”

薄膜沉积

高相关度 2025-03-09

全网最全！半导体薄膜沉积和设备厂商介绍 |大色谜半导体学习笔记

这一期我们继续介绍半导体产线的三大核心设备之一——薄膜沉积设备。全文分为：一、什么是薄膜沉积 Q&A二、PVD、CVD和ALD详细介绍业内两种重要的PECVD介绍三种沉积方式优劣势对比分析三、什么是薄膜沉积设备四、全球半导体薄膜沉积设备市场五、薄膜沉积设备国内外玩家

学习笔记

信息路线图

相关新闻

AI 要点摘要

核心地位：在半导体晶圆制造材料成本中，掩膜版占比约13%，是仅次于硅片的第三大核心材料。其精度和质量直接决定最终产品的良率。
二元掩膜版 (Binary Mask)：最基础的类型，由透光和不透光区域组成，成本低，但受限于光学衍射，用于90nm以上成熟工艺。
相移掩膜版 (PSM, Phase-Shift Mask)：通过引入180度相位差，利用干涉效应提升成像对比度和分辨率，用于28nm以下先进制程。
光学邻近效应修正掩膜 (OPC Mask)：通过在掩膜上添加亚分辨率辅助图形，预补偿光的衍射和干涉效应，确保图案精确转移，是≤28nm节点的必备技术。
EUV掩膜版：由于极紫外光易被吸收，EUV掩膜采用反射式设计（40-50层Mo/Si薄膜），用于5nm及以下的最前沿制程，制造和缺陷控制难度极高。
垄断现状：全球近90%的高端掩膜版产能被美日韩企业垄断。独立第三方市场中，美国Photronics、日本Toppn和DNP三家占据了超过80%的份额。尤其在先进制程（如28nm以下）的相移掩膜版和EUV掩膜版领域，国内几乎为空白，高度依赖进口

高相关度 2026-04-02

掩膜版专家交流

Q: 掩膜版的工程批与量产批在量级上如何区分？下游面板厂或晶圆厂扩产对掩膜版需求的影响主要取决于产能规模还是产品种类？ A: 掩膜版需求与产品种类直接相关，而非下游产能规模。工程批用于电路设计试制与验证，每套工艺仅需一套掩膜版，发现问题后进行单层或多层改版；定型后进入量产批，使用定型掩膜版进行复制

掩膜版

高相关度 2025-09-13

90% 掩膜版被垄断！2025 中国 187 亿市场咋突围？

国产芯片卡脖子又一关键环节！你知道吗？每一块手机芯片、每一块电视屏幕的诞生，都离不开一张 “电子底片”。但就是这张看似普通的 “底片”，全球近 90% 的高端产能被美日韩企业牢牢掌控，中国每年要花上百亿元进口。它就是半导体和平板显示产业的 “隐形命脉”—— 掩膜版

掩膜版

高相关度 2025-06-26

掩膜版，迎来巨变

近日，《半导体工程》杂志与四位专家就掩模制造的现状和未来方向进行了探讨，其中，HJL Lithography 首席光刻师 Harry Levinson、D2S首席执行官 Aki Fujimura、美光公司掩模技术高级总监 Ezequiel Russell 以及 Photronics 执行副总裁兼首席

掩膜版

高相关度 2025-04-21

光刻掩膜版类型及应用分类

光刻掩膜版（Photomask）是半导体制造和微纳加工中的关键元件，用于将设计电路图案转移到硅片上。其类型和应用分类取决于材料、工艺节点、图案复杂度及成像需求

光刻掩膜版

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-23

AlScN：特性、微纳制备及应用

半导体知识

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-24

2nm及之后：互连瓶颈正在从材料转向结构

很多人对BEOL的直觉仍停留在“电阻太高→换材料”，但这组结果把问题往另一个方向推：铜仍在延续，但有效导电截面正在被liner、barrier、界面散射不断侵蚀。一方面，low-k材料继续从k≈4下降到~2.6–3.2区间，甚至通过UV处理带来模量提升约40%、PID下降约13%，说明介质端还在持续

半导体产业报告

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-03

磁传感器赛道：国内外企业在研项目全景梳理

这两年，磁传感器的讨论热度明显在升温。一方面，新能源汽车把位置、速度、电流、角度等感知需求快速做大；另一方面，机器人、工业自动化、光伏储能、智能终端，也在把磁传感器从“功能器件”推向“关键器件”。如果把产业链再往深处看，会发现一个很有意思的变化：磁传感器的竞争，已经不只是单颗霍尔开关的价格竞争，而是

测试研讨社

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-25

金属材料中总是能看到α相、β相、γ相……，你知道为什么这样命名吗？

作为一名金属材料研究者，你一定见过这些名词：α-Fe、β 黄铜、γ 相、δ 铁素体、σ 相、χ 相、Laves 相……它们出现在不同合金体系的相图中，而且还常常“撞名”——铁里的 γ 相是奥氏体，到了镍基高温合金里 γ 相却又是基体本身。这个从冶金学最早期沿袭而来的希腊字母命名传统，究竟从何而来？为

Metals Letters

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-05-09

半导体设备系列 Vol.10 | 电化学沉积与先进封装电镀设备

中南微电人

高相关度 2026-03-20

半导体设备系列 Vol.03 | 薄膜沉积设备

中南微电人

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-05-01

可靠性压力抬升，先进芯片为何越来越怕长期运行

先说结论：先进芯片的可靠性压力，主要体现在 5 个方面1）先进节点怕的已经不只是“做出来”，而是“跑久了会不会漂” 初始性能达标并不代表长期工作后仍然稳定，很多问题是在时间维度上慢慢暴露的。2）电场、温度和电流密度的组合，会把老化机制同时推高先进结构在更小截面和更高集成度下工作，同样的应力更容易转

Alum聊半导体

高相关度 2026-04-28

芯片制造系列 Vol.08 | 为什么先进节点越往后越被互连拖住

中南微电人

高相关度 2026-04-26

芯片制造系列 Vol.06 | 芯片很多关键层，不是刻出来的，而是长出来的

可能很多人觉得，芯片里真正关键的东西都来自图形化和刻蚀，因为它们更像在做“形状”。但到了先进制造，这种理解不全面。今天很多性能上限，越来越不是靠把结构刻得更细来单独决定，而是靠能不能把材料以正确厚度、正确成分、正确应力和正确界面状态放在正确位置来决定。

中南微电人

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-03-26

影响再结晶晶粒尺寸的因素

再结晶晶粒尺寸是影响材料使用性能和工艺性能（如深冲性能及表面品质）的重要因素。对再结晶晶粒尺寸的管控，是加工工艺的重要课题。本文介绍影响再结晶晶粒尺寸的主要因素。

九俞

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-24

混合键合（HB）：关键工艺、技术演进和应用，半导体3D集成的下一代核心互连技术

混合键合（HB）是区别于传统微凸点键合、纯机械直接键合的无凸点直接互连技术，通过氧化硅实现物理键合、铜实现电学直连，分为晶圆对晶圆（W2W）、芯片对晶圆（D2W）两类。

芯球

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-05-07

行业观察 | 三星 8nm eMRAM 流片成功，嵌入式磁存储进入边缘AI市场

5月7日，韩国ASIC设计公司SEMIFIVE与中国寒序科技（ICY Tech）联合宣布，一颗基于三星8LPU工艺的eMRAM边缘AI SoC完成流片，并已提交三星进行MPW（多项目晶圆）制造，量产排期已在推进中。这是亚洲首款基于8nm eMRAM进行商业化出货尝试的芯片。

磁传感磁存储与自旋电子

高相关度 2026-04-28

MRAM进入高速放量期，亚太领跑、STT-MRAM主导，车规与边缘AI将打开中长期增量空间

MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）是一类以磁阻效应为基础、以MTJ（磁性隧道结）为核心存储单元的非易失性存储器，兼具掉电不丢数据、读写速度快、耐久性高、功耗低、抗辐射与耐高低温等多重特征，处于传统SRAM/DRAM与Flash

QYResearch半导体行业深度调研

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-05-09

背面供电（BSPDN）怎么做？它如何牵动工艺、热和良率

先说结论：背面供电到底改变了什么？1）把“电源网”和“信号网”从同一侧拆开传统前侧 BEOL 同时承担 power 与 signal，先进节点下两者对金属资源的争夺越来越激烈。BSPDN 的本质，是让前侧优先服务信号，把主供电网络移到晶圆背面。2）它首先解决的不是“更快”，而是“更短、更稳的供电路

Alum聊半导体

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-04-30

随机缺陷上升，先进工艺真正难控的到底是什么

先说结论：随机缺陷上升，本质上说明先进制造正在面对 5 个变化1）真正危险的对象，从“大缺陷”转向“局部概率事件” 很多失效并不来自明显颗粒或大面积污染，而来自极小尺度下的局部随机波动被放大。2）尺寸越小，统计涨落越难被平均掉当线宽、孔径和膜厚进入极限范围后，少量光子、少量反应位点和极窄结构本身就

Alum聊半导体

信息路线图

相关新闻

高相关度 2026-05-09

应用材料 2026 逻辑技术大师课分享：材料逻辑芯片领域的技术布局和市场判断

今天聊聊应用材料在2026年4月分享的公司在材料逻辑芯片（如CPU、AI芯片）领域的技术布局和市场判断，感兴趣的朋友，咱们接着研究一番~~01 市场背景与WFE展望首先回顾下2020年时应用材料公司对半导体设备市场（WFE，即晶圆厂设备支出）的看法：长期来看，ICAPS（物联网、通信、汽车、电源

芯球

高相关度 2026-05-02

应用材料公司（Applied Materials）新型PVD电弧监测系统，精准定位提升镀膜良率

在半导体制造迈向更小节点和更高集成度的进程中，物理气相沉积（PVD）作为关键薄膜制备技术，其工艺稳定性直接影响到芯片的性能与良率。然而，PVD工艺过程中产生的靶材电弧（arcing）一直是导致基板损伤和薄膜不均匀的主要问题之一。传统方法难以实时定位电弧发生的位置，使得故障诊断和设备维护耗时耗力。20

薄膜材料

信息路线图

重大变动新闻

AI 要点摘要

武汉敏声是一家研发射频滤波器（BAW滤波器）的科创企业，其产品是5G手机等无线通信设备的核心部件（一部5G手机需70-100颗）。公司由武汉大学博导孙成亮创立，已完成4轮融资，估值近30亿元。
半导体并购潮下的两种剧本
一方面是机遇：像武汉敏声这样的技术型创业公司，在获得产业资本（慈星股份）加持后，有望加速产能扩张（目标亚洲第一），实现国产替代。
另一方面是风险：像朱世会这样激进的产业资本，试图通过“蛇吞象”式并购快速打造产业链闭环，但若对估值、条款和自身财务风险（高质押）把控不当，则可能遭遇失败，使整个资本棋局陷入被动。

高相关度 2026-04-24

2nm及之后：互连瓶颈正在从材料转向结构

半导体产业报告

高相关度 2025-07-04

【资本滩】光智科技210亿“蛇吞象”并购折戟实控人高质押下遇挫资本局

6月27日，光智科技（300489.SZ）一则公告正式宣布，公司拟收购先导电子科技股份有限公司（下称“先导电科”）100%股权的交易正式终止

并购折戟

高相关度 2025-01-15

亚洲第一、世界第三！刚刚，武汉芯片重大并购！

1月14日晚间，慈星股份宣布停牌筹划重组，拟发行股份及支付现金购买武汉敏声控股权并募集配套资金

亚洲第一、世界第三

AI 要点摘要

总产能增长：全球300毫米晶圆厂产能将以7% 的年复合增长率增长，到2028年将达到每月1110万片晶圆的历史新高。
产能增长：先进工艺产能预计将从2024年的每月85万片，增长到2028年的每月140万片，增长约69%，其14%的年复合增长率是行业平均水平（7%）的两倍
总投资额：到2028年，全球用于先进工艺的设备资本支出预计将超过500亿美元，相比2024年的260亿美元，大幅增长94%。

高相关度 2025-06-26

SEMI报告：受AI推动，预计到2028年先进芯片制造产能将增长69%

美国加州时间2025年6月25日，SEMI发布最新的《300毫米晶圆厂展望报告（300mm Fab Outlook）》。报告指出，全球前端半导体供应商正在加速扩张，以支持生成式人工智能（AI）应用的激增需求

SEMI

期刊关联新闻

AI 要点摘要

当前挑战：MOSFET的物理极限：随着栅极长度缩至5nm以下，传统MOSFET面临严峻挑战，主要包括：栅极效率降低（短沟道效应导致漏电）、寄生电阻电容增大、各种漏电流机制凸显以及可靠性和 variability 问题。
现有应对策略：为延续摩尔定律，业界已采用多种策略：引入高k金属栅极（如HfO2）降低等效氧化物厚度；从平面MOSFET转向FinFET，再到GAAFET（环绕栅极场效应晶体管），通过多栅结构增强栅极控制能力；并探索应变工程和低有效质量沟道材料（如Ge、III-V族）来提升载流子迁移率
未来方向：超越MOSFET的新器件：新型沟道材料：单壁碳纳米管和二维半导体（如过渡金属硫族化合物）因原子级厚度和无悬键表面，被视为1nm以下节点的候选材料。 “超越晶体管”的新机制：文章提出将晶体管分解为 “Trans”（控制机制）和 “Resistor”（输运路径）的创新

高相关度 2026-04-16

新加坡国立Nature Materials：AlScN非易失性存储器，583K高温下循环耐久超过10^8次

今天来学习新加坡国立大学与浙江大学2026年4月16日发表的一篇Nature Materials论文 A nitride-based non-volatile memory enabled by electric-field-induced phase transition 电场诱导相变驱动的氮化物

Nature Materials

高相关度 2025-10-17

Nature综述：原子层沉积（ALD）

原子层沉积是一种表面控制的化学气相沉积方法，该方法通过逐层反应实现材料在原子尺度上的可控生长。借助原子层沉积技术，膜厚可实现精确调控，并能在大尺寸面积及复杂三维结构表面形成均匀一致的保形覆盖层。该技术广泛应用于高质量薄膜与纳米结构的制备、表面功能化修饰及界面工程等领域

Nature

高相关度 2025-10-13

Paper分享｜Nature｜晶体管的未来

电子学的历史通常由三种主要器件组成：真空管(栅极控制阴极向阳极的电子流动)、双极性结型晶体管BJT(基极电流控制集电极电流)和金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(栅极电压改变源漏电流)。前两个器件在推进现代计算方面发挥了重要作用；然而，MOSFET，特别是CMOS点燃了信息技术爆炸式发展。在低

Nature